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 磁控濺射鍍膜是物理堆積技術(shù)的一種，運(yùn)用陰極濺射原理進(jìn)行鍍膜，過(guò)在靶陰極外表引進(jìn)磁場(chǎng)，運(yùn)用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以添加濺射率。可以用于制備PVD涂層，具有設(shè)備簡(jiǎn)略、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等長(zhǎng)處。

磁控濺射鍍膜運(yùn)用的設(shè)備

1、真空室

物料在真空狀態(tài)中進(jìn)行冶煉、蒸發(fā)等反應(yīng)進(jìn)程的一個(gè)空間。內(nèi)壁由外表拋光的不銹鋼制成，是真空體系的一部分。真空室的規(guī)劃綜合考慮各種影響設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)的要素，包含：合理的結(jié)構(gòu)；適宜的內(nèi)部尺度；殼體材料低放氣量；厚度滿意真空容器要求；冷卻措施以及真空密封等。

2、真空體系

是由真空泵、PLC程序控制體系、儲(chǔ)氣罐、真空管道、真空閥門(mén)、境外過(guò)濾總成等組成的成套真空體系，真空體系自發(fā)動(dòng)后，悉數(shù)運(yùn)轉(zhuǎn)進(jìn)程可以實(shí)現(xiàn)全主動(dòng)控制。發(fā)動(dòng)體系，主真空泵組開(kāi)端工作，直到真空罐內(nèi)真空度達(dá)到設(shè)定的上限值，真空泵主動(dòng)中止運(yùn)轉(zhuǎn)，中央真空體系內(nèi)的真空由管路上的真空止回閥主動(dòng)截止而得到保持。如因工作需求真空罐內(nèi)真空度下降并低于設(shè)定的下限值時(shí)，備用真空泵組主動(dòng)發(fā)動(dòng)。

3、磁控濺射源

磁控濺射源是設(shè)備的中心部件，裝備的優(yōu)劣直接關(guān)系到薄膜的均勻性、致密性，功率功率和靶材運(yùn)用率等目標(biāo)。濺射源由陰極靶、濺射電源組成。

4、加熱及溫控系

選用紅外加熱方法，加熱功率2kW，溫度可達(dá)400℃。

5、進(jìn)氣體系

當(dāng)設(shè)備進(jìn)入本底真空后，進(jìn)氣體系負(fù)責(zé)充氣，使真空室的氣壓達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。為保證工藝的穩(wěn)定性要求真空室真空度恒定、送氣量平穩(wěn)。

6、膜厚測(cè)量體系

涂層厚度的掌握對(duì)涂層的功能十分重要，本設(shè)備選用在線式石英晶體膜厚測(cè)量?jī)x檢測(cè)涂層厚度。濺射探頭運(yùn)用鍍金晶片作為厚度檢測(cè)傳感器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)略、體積小，可用于監(jiān)控金屬、半導(dǎo)體或介質(zhì)涂層的厚度。

7、剩余氣體剖析體系

高真空狀態(tài)下運(yùn)用質(zhì)譜儀實(shí)現(xiàn)對(duì)真空室內(nèi)氣體成分進(jìn)行剖析，以了解環(huán)境中存在的剩余氣體分子監(jiān)督鍍膜本底環(huán)境。

8、工件轉(zhuǎn)架及擋屏

工件轉(zhuǎn)架用于裝置待鍍基片，由旋轉(zhuǎn)電機(jī)帶動(dòng)，通過(guò)調(diào)理轉(zhuǎn)速調(diào)理靶材粒子入射角，調(diào)理良好的膜層均勻性及附著力。

擋屏由旋轉(zhuǎn)電機(jī)帶動(dòng)，預(yù)濺射時(shí)，遮擋在陰極靶前，防止基片被污染。濺射時(shí)翻開(kāi)，使靶材材料抵達(dá)基片。

9、水冷體系

設(shè)備中真空泵、濺射靶等部分在運(yùn)轉(zhuǎn)進(jìn)程中會(huì)產(chǎn)生熱量選用水冷的方法對(duì)各個(gè)發(fā)熱部件進(jìn)行冷卻。

10、控制體系

以PLC作為體系控制中心，對(duì)設(shè)備進(jìn)行適時(shí)監(jiān)控。PLC與嵌入式工控機(jī)連接實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)交換，對(duì)設(shè)備進(jìn)行操作。